A Samsung anunciou o inicio da produção de sua primeira eMRAM (memória de acesso aleatório magnético embutido).
A produção será feita em litografia de 28 nanômetros e chega como uma alternativa mais eficiente as memórias eFlash, que são o padrão atual.
A nova maneira de produzir as memórias magnéticas foi apresentada em 2016, mas só agora começou a se tornar parte da linha de produtos da Samsung.
A promessa é de um aumento de velocidade de mil vezes em relação ao eFlash, além de ser uma opção mais econômica.
As memórias eMRAM se tornam uma opção prática em praticamente qualquer usabilidade. Podendo ser aplicada em dispositivos da Internet das Coisas, sistemas móveis e SoCs.
A fabricação em 28 nanômetros também oferece economia na produção e também é fácil de incorporar.
Vale mencionar que a Samsung não é a única empresa trabalhando nisso, a GlobalFoundries e a Intel também estão desenvolvendo suas memórias e em breve teremos a produção em massa desse novo dispositivo.
