Ontem (17) a Qualcomm tornou oficial o seu novo chipset, o Snapdragon 835, e este futuramente irá embalar os flagships do primeiro semestre de 2017. O chipset que foi construído à 10 nm pela Samsung promete ser mais potente e ocupar menos espaço do que seus antecessores, mas além disso há outra novidade, ele chegará com Quick Charge 4.0.
Conforme citado, a Samsung angariou novamente o título de fabricante dos chips da Qualcomm, e a novidade da vez é que o Snapdragon 835 foi produzido à 10 nm, além disso parece que a gigante sul-coreana participou até mesmo na criação do chipset além de o produzir, no entanto não há confirmação desta informação.
Os detalhes sobre a novidade ainda não foram divulgados, mas já é de conhecimento que a tecnologia utilizada para o novo Quick Charge é o padrão do USB-C, cuja potência é de 18W, contudo a companhia trabalhou para haver melhor aproveitamento sobre a entrada de energia.
O segredo do chipset, segundo sua fabricante, é o ajuste de temperatura que garante a maior amperagem possível para cada bateria dos diferentes smartphones, fazendo com que o novo Quick Charge seja superior do que a recarga rápida USB-C 3.0.
Vale lembrar que sobre a tecnologia de produção à 10 nanômetros estamos falando da distância entre os terminais dos transistores internos do chip, sendo que são bilhões de transistores com uma distância de 10 nm entre um e outro, o que permite o encaixe de muito mais terminais se levarmos em conta que a versão anterior do processador foi produzida à 14 nm. Ainda, à nível de comparação, uma folha de papel comum tem 100 nm de espessura.
E aí, ansioso para por as mãos em um dispositivo embalado com o Snapdragon 835 e Quick Charge 4.0? Comente!
Fonte: Android Police
